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首页> 外文期刊>Crystal Research and Technology: Journal of Experimental and Industrial Crystallography >Large area lateral overgrowth of mismatched InGaP on GaAs(111)B substrates
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Large area lateral overgrowth of mismatched InGaP on GaAs(111)B substrates

机译：GaAs（111）B衬底上不匹配的InGaP的大面积横向过度生长

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Application of InGaAs/InGaP double-heterostructure (DH) lasers increases the band offset between the cladding layer and the active layer more than the use of conventional 1.3 mu m InGaAsP/InP lasers. As a first step in realizing 1.3 mu m InGaP/InGaAs/InGaP DH lasers, we proposed InGaP lattice-mismatched epitaxial lateral overgrowth (ELO) technique and successfully carried out the InGaP? growth on both GaAs (100), (111)B and InP (100) substrates by liquid phase epitaxy. In this work, we grew the InGaP crystal on GaAs (111)B substrate by adjusting Ga and P composition in In solution, to obtain In0.79Ga0.21P (lambda= 820nm) virtual substrate for 1.3 mu m InGaAs/InGaP DH lasers. To grow the InGaP all over the lateral surface of the substrate, the growth time was extended to 6 hours. The amount of InGaP lateral growth up to 2 hours was gradually increased, but the lateral growth was saturated. The InGaP lateral width was about 250 mu m at the growth time of 6 hours. We report the result that optical microscope observation, CL and X-ray rocking curve measurements and reciprocal lattice space mapping were carried out to evaluate the crystal quality of the grown InGaP layers. (c) 2005 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
机译：与使用传统的1.3μmInGaAsP / InP激光器相比，InGaAs / InGaP双异质结构（DH）激光器的应用增加了包层和有源层之间的能带偏移。作为实现1.3μmInGaP / InGaAs / InGaP DH激光器的第一步，我们提出了InGaP晶格不匹配的外延横向过生长（ELO）技术，并成功地进行了InGaP？通过液相外延在GaAs（100），（111）B和InP（100）衬底上生长。在这项工作中，我们通过调整In溶液中的Ga和P组成，在GaAs（111）B衬底上生长InGaP晶体，以获得用于1.3μmInGaAs / InGaP DH激光器的In0.79Ga0.21P（λ= 820nm）虚拟衬底。为了在整个衬底侧面上生长InGaP，将生长时间延长至6小时。直到2小时，InGaP横向生长的量逐渐增加，但横向生长却达到了饱和。在6小时的生长时间中，InGaP横向宽度约为250微米。我们报告的结果是进行了光学显微镜观察，CL和X射线摇摆曲线测量以及相互晶格空间映射，以评估生长的InGaP层的晶体质量。 （c）2005 WILEY-VCH Verlag GmbH＆Co. KGaA，Weinheim。

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