ГИСТЕРЕЗИСНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МДП-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННОГО МЛЭ HGCDTE С ДВУХСЛОЙНЫМ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ДИЭЛЕКТРИКОМ SIO 2/SI 3N 4

А.В. ВОЙЦЕХОВСКИЙ; С.Н. НЕСМЕЛОВ; С.М. ДЗЯДУХ

首页> 外文期刊>Физика >ГИСТЕРЕЗИСНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МДП-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННОГО МЛЭ HGCDTE С ДВУХСЛОЙНЫМ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ДИЭЛЕКТРИКОМ SIO 2/SI 3N 4

【24h】

ГИСТЕРЕЗИСНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МДП-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННОГО МЛЭ HGCDTE С ДВУХСЛОЙНЫМ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ДИЭЛЕКТРИКОМ SIO 2/SI 3N 4

机译：基于变量MBE HGCDTE的TIR结构滞后现象用双层等离子体化学电介质SIO 2 / SI 3N 4

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg_(1- x) Cd_x Te ( x = 0.22-0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO_2/Si_3N_4 при изменении направления развертки напряжения. Выявлены особенности ВФХ при прямой и обратной развертке напряжения для МДП-структур на основе n -HgCdTe и p -HgCdTe. Полученные результаты свидетельствуют о важной роли в гистерезисных явлениях захвата электронов на состояния переходного слоя между полупроводником HgCdTe и диэлектриком SiO 2. Установлено, что при нанесении диэлектрика вблизи границы раздела образуются примесно-дефектные центры донорного типа, плотность состояний которых в переходном слое составляет (0.6-2.1)·10~(11) см~(-2).

机译：基于变量MBE HG_（1- X）CD_X TE（X = 0.22-0.23）的TIR结构的电压 - 传真特性（VFH）具有双层等离子体 - 化学介质电介质SiO_2 / Si_3N_4可以改变方向电压扫描。基于N-HGCDTE和P-HGCDTE的MDP结构，用直接和反向电压扫描识别WFC的特征。所获得的结果表明了在HGCDTE半导体和SiO 2之间的过渡层的状态捕获的滞后现象中的重要作用。在介电单元之间建立了当施加到界面附近的电介质时，杂质中心形成供体类型，形成过渡层中的状态的密度（0.6-2.1）·10〜（11）cm〜（-2）。

著录项

来源
《Физика》 |2015年第4期|共10页
作者
А.В. ВОЙЦЕХОВСКИЙ; С.Н. НЕСМЕЛОВ; С.М. ДЗЯДУХ;
展开▼
作者单位

Национальный исследовательский Томский государственный университет г. Томск Россия;

Национальный исследовательский Томский государственный университет г. Томск Россия;

Национальный исследовательский Томский государственный университет г. Томск Россия;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类物理学;
关键词
МДП-СТРУКТУРА; HGCDTE; МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ; ВАРИЗОННЫЙ СЛОЙ; ВОЛЬТ-ФАРАДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА; ГИСТЕРЕЗИС ВОЛЬТ-ФАРАДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ; ПЕРЕХОДНЫЙ СЛОЙ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ДИЭЛЕКТРИК - ПОЛУПРОВОДНИК;

机译：TIR结构;HGCDTE;分子射线外延;volis-pharady特征;滞后电压 - 法拉特性;电介质部分界面的过渡层 - 半导体;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. ГИСТЕРЕЗИСНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МДП-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННОГО МЛЭ HGCDTE С ДВУХСЛОЙНЫМ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ДИЭЛЕКТРИКОМ SIO 2/SI 3N 4 [J] . А.В. ВОЙЦЕХОВСКИЙ, С.Н. НЕСМЕЛОВ, С.М. ДЗЯДУХ Физика . 2015,第4期

机译：基于两层等离子体化学SIO 2 / SI 3N 4的Varizon MBE HGCDTE的MIS结构中的迟滞现象
2. Physico-chemical investigation of components interaction of the Si-Al-O-N-Ti system in the region Si{sub}3N{sub}4-AlN-Al{sub}2O{sub}3-SiO{sub}2-TiN-TiO{sub}2. I. The subsystems Si{sub}3N{sub}4-Al{sub}2O{sub}3, Si{sub}3N{sub}4-TiN, and Al{sub}2O{sub}3 [J] . Khoruzhaya V. G., Martseniuk P. S., Meleshevich K. A., Порошковая Металлургия . 2001,第7a8期

机译：Si {sub} 3N {sub} 4-AlN-Al {sub} 2O {sub} 3-SiO {sub} 2-TiN--区域中Si-Al-ON-Ti系统的组分相互作用的理化研究TiO {sub} 2。 I.子系统Si {sub} 3N {sub} 4-Al {sub} 2O {sub} 3，Si {sub} 3N {sub} 4-TiN和Al {sub} 2O {sub} 3
3. Physico-chemical investigation of components interaction of the Si-Al-O-N-Ti system in the region Si{sub}3N{sub}4-AlN-Al{sub}2O{sub}3-SiO{sub}2-TiN-TiO{sub}2. I. The subsystems Si{sub}3N{sub}4-Al{sub}2O{sub}3, Si{sub}3N{sub}4-TiN, and Al{sub}2O{sub}3 [J] . Khoruzhaya V. G., Martseniuk P. S., Meleshevich K. A., Порошковая Металлургия . 2001,第7a8期

机译：地区Si {Sub} 4-Aln-Al {Sub} 3-Aln-Al} 4-Aln-Al {Sub} 3-Aln} 3-SiO {Sub} 2-Tin- tio {sub} 2。 I.子系统SI {sub} 3n {sub} 4-al {sub} 2o {sub} 3，si {sub} 3n {sub} 4-tin，an {sub} 2o {sub} 3
4. Charge storage characteristic for double layer of Si{sub}3N{sub}4/SiO{sub}2 and single layer of Si{sub}3N{sub}4 [C] . Yonggang Pan, Zhongfu Xia, Xiaoqin Zhang, International Symposium on Electrets . 1999

机译：Si {sub} 3n {sub} 4 / siO {sub} 2的电荷存储特性和单层Si {sub} 3n {sub} 4
5. Mn2SiO4,Fe2SiO4,CO2SiO4の弾性定数とオリビン鉱物の高温における弾性的性質 [D] . 角野由夫, SUMINO Y -1

机译：高温下Mn2SiO4，Fe2SiO4，CO2SiO4的弹性常数和橄榄石矿物的弹性
6. Synthesis and photoluminescence properties of silica-modified SiO2@ANA-Si-Tb@SiO2 SiO2@ANA-Si-Tb-L@SiO2 core–shell–shell nanostructured composites [O] . Lina Feng, Wenxian Li, Jinrong Bao, 2019

机译：二氧化硅改性的SiO2 @ ANA-Si-Tb @ SiO2SiO2 @ ANA-Si-Tb-L @ SiO2核-壳-壳纳米结构复合材料的合成和光致发光性能
7. Characterization of low molecular weight components of (ViMe2SiO1/2)x(PhSiO3/2)y(SiO4/2)z, (ViMe2SiO1/2)x(SiO4/2)y, and (SiO4/2)x(HO1/2)y(tBuO1/2)z silsesquioxanes by Electrospray Ionization Fourier Transform Mass Spectrometry (ESI-FTMS) [O] . Chen Huiping, Bujalski Duane R., Su Kai 2005

机译：（ViMe2SiO1 / 2）x（PhSiO3 / 2）y（SiO4 / 2）z，（ViMe2SiO1 / 2）x（SiO4 / 2）y和（SiO4 / 2）的低分子量组分的表征x（HO1 / 2）y（tBuO1 / 2）z倍半硅氧烷通过电喷雾电离傅里叶变换质谱（ESI-FTMS）

ГИСТЕРЕЗИСНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МДП-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННОГО МЛЭ HGCDTE С ДВУХСЛОЙНЫМ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ДИЭЛЕКТРИКОМ SIO 2/SI 3N 4

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅