• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования >МИКРОМОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ СЛОЕВ СdТе(310),ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ
【24h】

МИКРОМОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ СЛОЕВ СdТе(310),ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

机译：微观的表面层SDTE（310）中生长通过分子束外延

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Методом дифракции электроном высокой энергии на отражение исследована морфология поверхностибуферных слоев СdТе(310), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что чи-стая поверхность СdТе(310) является атомно-гладкой. Ее реконструкция описывается элементарной ячей-кой, которая совпадает с элементарной ячейкой нереконструированной поверхности (310). Определено,что адсорбция Те_2 в количестве менее 0.2 монослоя приводит к реконструкции поверхности с образовани-ем террас плоскости (100) длиной 3/2а. С увеличением толщины адсорбционного слоя Те до значений0.3 монослоя и более на поверхности СdТе(310) развивается система фасеток (100) + (210).
机译：表面形态研究了高能量对反射的衍射方法CDP缓冲层（310）由分子束外延生长。它已经建立了SDPE（310）的包装是原子平滑的。其重建由基本细胞描述KOA，与非构造表面的基本电池一致（310）。被定义为，Te_2的吸附量小于0.2单层，导致表面的重建与形成EA露台平面（100）3 / 2A长。随着吸附层的厚度的增加，那些值在CDP（310）的表面上，0.3单丝洛伊和更多，刻面（100）+（210）的开发系统。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号