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Simulation and fabrication of attenuated phase-shifting masks: CrFx

机译：衰减相移掩模的仿真和制造：CrFx

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To acquire the required resolution for 248- and 193-nm Lithography, a study of attenuated phase-shifting mask (Att-PSM) technology is in progress. We performed a simulation study using a matrix method to calculate relative transmittance and the amount of phase shift of light through the PSM. However, we found that the average film composition changed with deposition time. Accordingly, optical constants were found to be a strong function of film thickness. Therefore we rearranged the relationship between deposition parameters (e.g., deposition time or gas flow rate ratio) and optical constants (e.g., refractive index and extinction coefficient) to extract the empirical formula for the optical constants with respect to film composition. To verify our simulation study, we fabricated a phase shifter based on our simulation result, which was found to have a transmittance of 8.3% and a phase shift of 179.5 degrees. Consequently, we obtained a reliable optimum condition for the deep-ultraviolet Att-PSM. (C) 1997 Optical Society of America.
机译：为了获得248和193 nm平版印刷术所需的分辨率，正在研究衰减相移掩模（Att-PSM）技术。我们使用矩阵方法进行了仿真研究，以计算相对透射率和穿过PSM的光的相移量。然而，我们发现平均膜组成随沉积时间而变化。因此，发现光学常数是膜厚度的强函数。因此，我们重新排列了沉积参数（例如，沉积时间或气体流速比）和光学常数（例如，折射率和消光系数）之间的关系，以提取关于膜组成的光学常数的经验公式。为了验证我们的仿真研究，我们根据仿真结果制造了一个移相器，发现该移相器的透射率为8.3％，相移为179.5度。因此，我们为深紫外Att-PSM获得了可靠的最佳条件。 （C）1997年美国眼镜学会。

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