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首页> 外文期刊>International Journal of Nanomanufacturing >Simultaneous double side grinding of silicon wafers: a mathematical model for the wafer shape
【24h】

Simultaneous double side grinding of silicon wafers: a mathematical model for the wafer shape

机译：同时进行硅晶片的双面研磨：晶片形状的数学模型

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Silicon wafers are the most widely used substrates for fabricating Integrated Circuits (ICs). The quality of ICs depends directly on the quality of silicon wafers. Simultaneous Double Side Grinding (SDSG) is one of the processes used to flatten the sliced wafers. The literature contains several mathematical models for the wafer shape in Single Side Grinding (SSG). However, no systematical study on the wafer shape in SDSG has been reported. The first part of this paper gives an overview of current mathematical models for the wafer shape in SSG (or SDSG) of silicon wafers. Then a mathematical model for the wafer shape in SDSG of silicon wafers is developed. This developed model is then used to systematically study the effects of several SDSG parameters on the wafer shape.
机译：硅晶圆是用于制造集成电路（IC）的最广泛使用的基板。 IC的质量直接取决于硅晶片的质量。同时双面研磨（SDSG）是用于平整切片晶圆的工艺之一。文献包含用于单面研磨（SSG）中晶片形状的几种数学模型。但是，尚未有关于SDSG中晶片形状的系统研究的报道。本文的第一部分概述了硅晶片SSG（或SDSG）中晶片形状的当前数学模型。然后建立了硅晶圆SDSG中晶圆形状的数学模型。然后使用该开发的模型来系统地研究几个SDSG参数对晶片形状的影响。

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