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首页> 外文期刊>Molecular Crystals and Liquid Crystals Science and Technology, Section A. Molecular Crystals and Liquid Crystals >New Bilayer Positive Photoresist for 193nm Photolithography
【24h】

New Bilayer Positive Photoresist for 193nm Photolithography

机译：用于193nm光刻的新型双层正性光刻胶

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We have designed a function-integrated acrylicterpolymer, poly(MMA_x-BPMA_y-MAA_z) which has both adri-etching resistant unit (trimethylsilyl group) and a deprotectinggroup. A new terpolymer was synthesized by free radicalterpolymerization of methyl methacrylate (MMA), 1,3-bis(trimethylsilyl) isopropyl methacrylate (BPMA) andmethacrylic acid (MAA). Thermogravimetric analysis (TGA) ofterpolymer showed a good thermal stability up to 140 deg C. Weachieved a minimum feature resolution with 0.17#mu#m L/Spattern in an ArF exposure system using poly (MMA_(5,9)-BPMA_(2.1)-MAA_(2.0)) resist.
机译：我们设计了一种功能整合的丙烯酸三元共聚物，聚（MMA_x-BPMA_y-MAA_z），它既具有抗干蚀刻性的单元（三甲基甲硅烷基），又具有脱保护基。通过甲基丙烯酸甲酯（MMA），1,3-双（三甲基甲硅烷基）甲基丙烯酸异丙酯（BPMA）和甲基丙烯酸（MAA）的自由基三聚反应合成了一种新的三元共聚物。三元共聚物的热重分析（TGA）在高达140摄氏度的温度下显示出良好的热稳定性。在使用聚（MMA_（5,9）-BPMA_（2.1）的ArF曝光系统中，采用0.17＃μm/ L的图案可获得最小特征分辨率-MAA_（2.0））抗蚀剂。

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