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Low-frequency electronic noise in single-layer MoS_2 transistors

机译：单层MoS_2晶体管中的低频电子噪声

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Ubiquitous low-frequency 1/f noise can be a limiting factor in the performance and application of nanoscale devices. Here, we quantitatively investigate low-frequency electronic noise in single-layer transition metal dichalcogenide MoS_2 field-effect transistors. The measured 1/f noise can be explained by an empirical formulation of mobility fluctuations with the Hooge parameter ranging between 0.005 and 2.0 in vacuum (<10~(-5) Torr). The field-effect mobility decreased, and the noise amplitude increased by an order of magnitude in ambient conditions, revealing the significant influence of atmospheric adsorbates on charge transport. In addition, single Lorentzian generation-recombination noise was observed to increase by an order of magnitude as the devices were cooled from 300 to 6.5 K.
机译：普遍存在的低频1 / f噪声可能是纳米器件性能和应用中的限制因素。在这里，我们定量研究单层过渡金属二卤化二硫化钼MoS_2场效应晶体管中的低频电子噪声。所测得的1 / f噪声可以通过迁移率波动的经验公式来解释，其在真空中的Hooge参数范围为0.005至2.0（<10〜（-5）Torr）。在环境条件下，场效应迁移率降低，噪声幅度增加一个数量级，从而揭示了大气吸附物对电荷传输的显着影响。此外，随着器件从300 K冷却到6.5 K，观察到单个Lorentzian生成重组噪声增加了一个数量级。

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