• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nano letters >InAs/InP radial nanowire heterostructures as high electron mobility devices
【24h】

InAs/InP radial nanowire heterostructures as high electron mobility devices

机译：InAs / InP径向纳米线异质结构作为高电子迁移率器件

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Radial core/shell nanowires (NWs) represent an important class of one-dimensional (1D) systems with substantial potential for exploring fundamental materials electronic and photonic properties. Here, we report the rational design and synthesis of InAs/InP core/shell NW heterostructures with quantum-confined, high-mobility electron carriers. Transmission electron microscopy studies revealed single-crystal InAs cores with epitaxial InP shells 2-3 nm in thickness, and energy-dispersive X-ray spectroscopy analysis further confirmed the composition of the designed heterostructure. Room-temperature electrical measurements on InAsAnP NW field-effect transistors (NWFETs) showed significant improvement in the on-current and transconductance compared to InAs NWFETs fabricated in parallel, with a room-temperature electron mobility, 11500 cm(2)/Vs, substantially higher than other synthesized 1D nanostructures. In addition, NWFET devices configured with integral high dielectric constant gate oxide and top-gate structure yielded scaled on-currents up to 3.2 mA/mu m, which are larger than values reported for other n-channel FETs. The design and realization of high electron mobility InAs/InP NWs extends our toolbox of nanoscale building blocks and opens up opportunities for fundamental and applied studies of quantum coherent transport and high-speed, low-power nanoelectronic circuits.
机译：径向核/壳纳米线（NWs）代表了一类重要的一维（1D）系统，具有探索基础材料电子和光子特性的巨大潜力。在这里，我们报道了具有量子限制的高迁移率电子载流子的InAs / InP核/壳NW异质结构的合理设计和合成。透射电子显微镜研究表明，外延InP壳厚度为2-3 nm的单晶InAs核，能量色散X射线光谱分析进一步证实了所设计异质结构的组成。与平行制造的InAs NWFET相比，在InAsAnP NW场效应晶体管（NWFET）上进行的室温电气测量显示出导通电流和跨导的显着改善，室温电子迁移率基本上为11500 cm（2）/ Vs高于其他合成的一维纳米结构。此外，配置有集成的高介电常数栅极氧化物和顶栅结构的NWFET器件可产生高达3.2 mA /μm的按比例缩放导通电流，该电流大于其他n沟道FET报告的值。高电子迁移率InAs / InP NW的设计和实现扩展了我们的纳米级构建模块工具箱，并为量子相干传输和高速，低功率纳米电子电路的基础和应用研究提供了机会。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号