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Finite size effects on the gate leakage current in graphene nanoribbon field-effect transistors

机译：有限尺寸对石墨烯纳米带场效应晶体管中栅极泄漏电流的影响

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The finite size effects in nanoribbon graphene field-effect transistors (FETs) make the energy distribution of the channel electrons very different from that when neglecting finite size effects. Such an effect is especially obvious when the wDEth of the graphene ribbon is a few nanometers. Thus, it results in more high-energy electrons in a nanoribbon graphene FET than in a two-dimensional graphene FET for the same device structure and parameters. Furthermore, such an energy distribution of channel electrons results in a change in the gate leakage current of a nanoribbon graphene FET. The numerical calculations demonstrate that the tunneling current rapDEly increases with decreasing wDEth of the graphene ribbon. This implies that a workable graphene FET after consDEering gate oxDEe reliability should have a channel wDEth larger than 100 nm.
机译：纳米带石墨烯场效应晶体管（FET）中的有限尺寸效应使沟道电子的能量分布与忽略有限尺寸效应时的电子分布非常不同。当石墨烯带的wDEth为几纳米时，这种效果尤其明显。因此，对于相同的器件结构和参数，它在纳米带状石墨烯FET中比在二维石墨烯FET中产生更多的高能电子。此外，沟道电子的这种能量分布导致纳米带石墨烯FET的栅极漏电流的变化。数值计算表明，隧穿电流随着石墨烯带的wDEth的减小而迅速增加。这意味着在考虑栅极OXDEe可靠性之后，可工作的石墨烯FET的沟道wDEth应当大于100 nm。

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