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CMOS considerations in nanoelectromechanical carbon nanotube-based switches

机译：基于纳米机电碳纳米管的开关中的CMOS注意事项

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摘要

In this paper, we focus on critical issues directly related to the viability of carbon nanotube-based nanoelectromechanical switches, to perform their intended functionality as logic and memory elements, through assessment of typical performance parameters with reference to complementary metal-oxide-semiconductor devices. A detailed analysis of performance metrics regarding threshold voltage control, static and dynamic power dissipation, speed, and integration density is presented. Apart from packaging and reliability issues, these switches seem to be competitive in low power, particularly low-standby power, logic and memory applications.
机译：在本文中，我们专注于与基于碳纳米管的纳米机电开关的生存能力直接相关的关键问题，通过参考典型的性能参数（参考互补金属氧化物半导体器件）评估其作为逻辑和存储元件的预期功能。提出了有关阈值电压控制，静态和动态功耗，速度和集成密度的性能指标的详细分析。除了封装和可靠性问题，这些开关在低功耗，特别是低待机功耗，逻辑和存储器应用中似乎具有竞争力。

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