• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nanotechnology >Fabrication of high-aspect-ratio nanotips integrated with single-crystal silicon cantilevers
【24h】

Fabrication of high-aspect-ratio nanotips integrated with single-crystal silicon cantilevers

机译：高纵横比纳米尖端与单晶硅悬臂梁的集成

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

This work presents a novel fabrication technique for an atomic force microscope ( AFM) nanotip. The high-aspect-ratio silicon nanotip on a single-crystal silicon cantilever was manufactured using inductive coupling plasma (ICP) anisotropic etching and XeF2 isotropic silicon etching processes. The cantilever shape was defined and the high-aspect-ratio silicon nanotip structure was fabricated by ICP anisotropic deep silicon etching (similar to 50 -80 mu m deep). Nanotip sharpening and single-crystal Si cantilever undercutting were achieved simultaneously via two-step XeF2 isotropic silicon etching. The final structures were observed by a scanning electron microscope ( SEM) and the diameter of the nanotip was about similar to 30 nm. This process is simple, easy to use, CMOS post-process-compatible and suitable for the future IC integrated AFM nanotip applications.
机译：这项工作提出了一种新的原子力显微镜（AFM）纳米尖端的制造技术。使用电感耦合等离子体（ICP）各向异性刻蚀和XeF2各向同性硅刻蚀工艺制造了单晶硅悬臂上高纵横比的硅纳米尖端。定义了悬臂的形状，并通过ICP各向异性深硅刻蚀（类似于50 -80μm的深）制造了高纵横比的硅纳米尖端结构。通过两步XeF2各向同性硅刻蚀，可以同时实现Nanotip锐化和单晶Si悬臂底切。通过扫描电子显微镜（SEM）观察最终结构，并且纳米尖端的直径大约类似于30nm。该过程简单，易用，与CMOS后处理兼容，适用于未来的IC集成AFM nanotip应用。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号