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【24h】

Controlling the growth of ZnO quantum dots embedded in silica by Zn/F sequential ion implantation and subsequent annealing

机译：通过Zn / F顺序离子注入和随后的退火控制嵌入二氧化硅的ZnO量子点的生长

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We report the formation of embedded ZnO quantum dots (QDs) by Zn and F ion sequential implantation and subsequent annealing. Optical absorption and photoluminescence spectrum measurements, transmission electron microscopy bright field images and selected area electron diffraction patterns indicate that ZnO QDs were formed after annealing in air or vacuum at temperatures higher than 500 degrees C. Atomic force microscopy images show a comparatively flat surface of the annealed samples, which indicates that only very few Zn atoms are evaporated to the surfaces. The formation of ZnO QDs during the thermal annealing can be attributed to the direct oxidization of Zn nanoparticles by the oxygen molecules in the substrate produced during the implantation of F ions. The quality of ZnO QDs increases with the increase of annealing temperature.
机译：我们报告了通过Zn和F离子顺序注入以及随后的退火形成的嵌入式ZnO量子点（QD）。光学吸收和光致发光光谱测量，透射电子显微镜的明场图像和选定区域的电子衍射图谱表明，ZnO QD是在空气或真空中于高于500摄氏度的温度下退火后形成的。退火样品，这表明只有很少的Zn原子蒸发到表面。热退火过程中ZnO QD的形成可归因于Zn纳米颗粒被F离子注入过程中产生的衬底中的氧分子直接氧化。 ZnO量子点的质量随着退火温度的升高而提高。

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