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Shadow mask fabrication of micron-wide break-junctions and their application in single-nanoparticle devices

机译：微米级断开结的荫罩制造及其在单纳米颗粒器件中的应用

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We present a robust, shadow mask method for fabricating break-junctions (BJs). The method uses electromigration and results in devices comprising 100 mu m wide gold wires separated by nanogaps. By functionalizing the BJs with alkanedithiols and using electrostatic trapping, we incorporate single gold nanoparticles (NPs) in the gaps with high yield. The resulting single-NP devices exhibit single-electron charging thresholds that can be probed using both voltage and temperature measurements. Both voltage thresholds and thermal activation energies scale with NP size as expected.
机译：我们提出了一种健壮的阴影遮罩方法来制造断开结（BJ）。该方法利用电迁移，得到的器件包括由纳米间隙隔开的100微米宽的金线。通过使用链烷二硫醇官能化BJ并使用静电捕获，我们以高收率将单个金纳米颗粒（NP）引入到间隙中。所得的单NP器件具有单电子充电阈值，可以使用电压和温度测量来探测该阈值。电压阈值和热活化能均与NP尺寸成比例。

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