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Investigation of SiGe-heterostructure nanowires

机译：SiGe异质结构纳米线的研究

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Transport characterizations of wires obtained by electron beam lithography and etching of (100) Si/SiGe heterostructures with a high-mobility two-dimensional electron gas are reported. Depending on the wire width, two different regimes for the electrical transport ar found. Wires with a width larger than approx 200 nm exhibit metallic behaviour in the quasi-ballistic regime. The conductance dependence on the wire width reveals the presence of a depletion layer, approx 100 nm thick, on each etched side of the wire. The wires of width smaller than 200 nm have very large resistance and two different behaviours. The first kind of wires exhibit a zero-current region, compatible with a Coulomb blockade effect involving multiple tunnel junctions or with a space-charge limited current. Other wires are insulating up to applied voltages larger than 5-6 V and their I-V characteristics can be fitted by the functional dependence of voltage-induced tunnelling of Fowler-Nordheim type.
机译：报道了通过电子束光刻和蚀刻具有高迁移率二维电子气的（100）Si / SiGe异质结构获得的导线的传输特性。根据电线的宽度，可以找到两种不同的电传输方式。宽度大于约200 nm的导线在准弹道状态下表现出金属行为。电导率对导线宽度的依赖性表明，在导线的每个蚀刻面上都存在约100 nm厚的耗尽层。宽度小于200 nm的导线具有很大的电阻和两种不同的行为。第一种导线具有零电流区域，与涉及多个隧道结的库仑阻塞效应或空间电荷限制电流兼容。其他电线在施加的电压大于5-6 V时绝缘，其I-V特性可以通过电压引起的Fowler-Nordheim型隧穿的功能依赖性来拟合。

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