• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nanotechnology >Growth mechanisms of SnO_2/Sn nanocables
【24h】

Growth mechanisms of SnO_2/Sn nanocables

机译：SnO_2 / Sn纳米电缆的生长机理

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

SnO_2/Sn nanocables have been grown on single-crystal Si substrates by metal catalyst assisted thermal evaporation of SnO powders. The morphologies and structures of the prepared nanocables were determined on the basis of field emission scanning electron microscopy (FESEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), x-ray diffraction (XRD), Raman and photoluminescence (PL) spectra analyses. The microstructures and compositions of the top and bottom regions of the SnO_2/Sn nanocables were identified by HRTEM in detail, which revealed some basic physical and chemical processes involved in the formation of the nanocables. A growth model was proposed to address the formation of SnO_2/Sn nanocables on the basis of the vapour-liquid-solid (VLS) process.
机译：SnO_2 / Sn纳米电缆已经通过金属催化剂辅助的SnO粉末热蒸发在单晶Si衬底上生长。根据场发射扫描电子显微镜（FESEM），高分辨率透射电子显微镜（HRTEM），X射线衍射（XRD），拉曼光谱和光致发光（PL）光谱分析，确定了制备的纳米电缆的形貌和结构。通过HRTEM对SnO_2 / Sn纳米电缆顶部和底部的微观结构和组成进行了详细的鉴定，揭示了纳米电缆形成过程中的一些基本物理和化学过程。提出了一种基于汽-液-固（VLS）工艺解决SnO_2 / Sn纳米电缆形成的生长模型。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号