...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Semiconductors >Effect of Bi isovalent dopants on the formation of homogeneous coherently strained InAs quantum dots in GaAs matrices
【24h】

Effect of Bi isovalent dopants on the formation of homogeneous coherently strained InAs quantum dots in GaAs matrices

机译：Bi等价掺杂剂对GaAs矩阵中均匀相干应变InAs量子点形成的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The distribution of hydrostatic strains in Bi~(3+)-doped InAs quantum dots embedded in a GaAs matrix are calculated in the context of the deformation-potential model. The dependences of strains in the material of spherical InAs quantum dots with substitutional (Bi → As) and interstitial (Bi) impurities on the quantum-dot size are derived. The qualitative correlation of the model with the experiment is discussed. The data on the effect of doping on the morphology of self-assembled InAs:Bi quantum dots in a GaAs matrix are obtained.
机译：在变形势模型的基础上，计算了嵌入GaAs基体中的Bi〜（3+）掺杂InAs量子点中的静应变分布。推导了球形InAs量子点材料中应变（Bi→As）和间隙（Bi）杂质的应变对量子点尺寸的依赖性。讨论了模型与实验的定性相关性。获得关于掺杂对GaAs矩阵中自组装InAs：Bi量子点形态的影响的数据。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号