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首页> 外文期刊>Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion >Evaluation of the gap state distribution in a-Si : H by SCLC measurements
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Evaluation of the gap state distribution in a-Si : H by SCLC measurements

机译：通过SCLC测量评估a-Si：H中的隙态分布

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In this work, the analysis of the current density-voltage (J-V) characteristics of a good-quality a-Si:H n(+)-i-n(+) structures has been studied as a function of temperature. The defect density within the intrinsic layer of the a-Si:H n(+)-i-n(+) structure was determined using the den Boer approach to the analysis of the space charge limited current (SCLC). The den Boer analysis yields the density of states (DOS) in only a limited part of the band gap of the sample. We emphasize that in a good-quality sample, even if it is a thin one, the den Boer approach to SCLC gives correct information about the DOS. This information comes from the states near the conduction band tail, which reside in the upper part of the gap, because of the smaller activation energy of thin samples. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 14]
机译：在这项工作中，已经研究了高质量a-Si：H n（+）-i-n（+）结构的电流密度-电压（J-V）特性随温度的变化。使用den Boer方法分析空间电荷限制电流（SCLC），确定a-Si：H n（+）-i-n（+）结构本征层内的缺陷密度。 den Boer分析仅在样品带隙的有限部分中产生状态密度（DOS）。我们强调在一个高质量的样本中，即使它是一个稀疏样本，den Boer的SCLC方法也可以提供有关DOS的正确信息。该信息来自导带尾部附近的状态，该状态位于间隙的上部，因为薄样品的活化能较小。 （C）2002 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：14]

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