Atomic-layer growth of TiO_2-II thin films

J. Aarik; A. Aidla; T. Uustare

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Atomic-layer growth of TiO_2-II thin films

机译：TiO_2-II薄膜的原子层生长

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Thin films of the high-pressure polymorph of titania, TiO2-II, were grown by atomic-layer deposition (ALD) using TiCl4 and H2O as precursors. Pure TiO2-II was synthesized at substrate temperatures ranging from 375 to 550℃ while the films grown at 350 and 600℃ contained mixed anatase-TiO2-II and rutile-TiO2-II phases respectively. Transformation of ALD-grown TiO2-II into rutile occurred on post-growth annealing at temperatures as high as 700℃

机译：二氧化钛的高压多晶型物TiO2-II的薄膜通过原子层沉积（ALD）以TiCl4和H2O为前体生长。在375至550℃的衬底温度下合成了纯TiO2-II，而在350和600℃下生长的薄膜分别包含锐钛矿型TiO2-II和金红石型TiO2-II。 ALD生长的TiO2-II向金红石的转变发生在温度高达700℃的生长后退火中

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来源
《Philosophical Magazine Letters》 |1996年第3期|共5页
作者
J. Aarik; A. Aidla; T. Uustare;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类物理学;
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1. Atomic-layer growth of TiO_2-II thin films [J] . J. Aarik, A. Aidla, T. Uustare Philosophical Magazine Letters . 1996,第3期

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