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首页> 外文期刊>Philosophical magazine, B. Physics of condensed matter, electronic, optical, and magnetic properties >Band-structure determination by subgap spectroscopy in thin films of semiconductors
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Band-structure determination by subgap spectroscopy in thin films of semiconductors

机译：通过亚能隙光谱法确定半导体薄膜中的能带结构

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We use the dispersion of the refractive index of subgap light to determine the main parameters of the band structure of thin films of semiconductors. By making a semiempirical calculation of the effect of the final width of the valence and conduction bands, we obtain a variation in the refractive index n(E) with the light energy E, which goes one order beyond the simple two-level one-oscillator formula. By comparison with the experimental transmission curve, we show that it is possible to obtain, with a simple commercial spectrometer, the distance EM between the centres of gravity of the valence and conduction bands and also an estimate of the widths Delta of the bands. We have applied this method to a series of thin films of hydrogenated amorphous silicon and carbonated alloys.
机译：我们使用次能隙光的折射率的色散来确定半导体薄膜的能带结构的主要参数。通过对价带和导带的最终宽度的影响进行半经验计算，我们获得了随光能E的折射率n（E）的变化，该变化超出了简单的两级单振荡器的一级。式。通过与实验透射曲线的比较，我们表明可以使用简单的商用光谱仪获得价带和导带的重心之间的距离EM以及带的宽度Delta的估计。我们已将此方法应用于一系列氢化非晶硅和碳酸合金薄膜。

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