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机译:退火诱导的升华生长立方碳化物点缺陷性质的变化
Michael Schöler; Clemens Brecht; Peter J. Wellmann;
机译:退火引起的升华生长立方碳化硅点缺陷性质的变化
机译:立方碳化硅3C-SiC中固有缺陷的理论研究
机译:点缺陷在辐照立方碳化硅的溶胀和弹性模量中的作用
机译:用DLTS和EPR研究了升华生长的6H碳化硅的深层缺陷
机译:在6H-碳化硅和15R-碳化硅衬底上生长的砷化硼外延层的缺陷结构和生长机理。
机译:立方碳化硅杂化缺陷的非线性光学成像
机译:硼烧结立方碳化硅缺陷的电子显微镜研究
机译:立方碳化硅膜的制造方法,立方碳化硅膜的基质制造方法以及使用该立方碳化硅膜的动力装置
机译:碳化硅大块单晶基质的缺陷检查方法,使用该方法的碳化硅大块单晶基质的缺陷检查系统以及碳化硅大块单晶基质的缺陷信息
机译:形成外延生长的立方碳化硅层的叠层的方法,以及形成衬底附着的外延生长的立方碳化硅层的叠层的方法
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