机译:湿法刻蚀外延横向生长GaN中位错刻蚀坑的观察
机译:通过横向外延生长和湿法化学刻蚀从蓝宝石衬底上生长和分离高质量GaN外延层
机译:通过湿法化学刻蚀在图案化的蓝宝石衬底上的GaN膜横向外延生长
机译:通过湿化学蚀刻观察外延横向过度过度覆盖GaN中的位错蚀刻坑
机译:蓝宝石上的氮化镓薄膜通过横向外延过生长来减少螺纹位错。
机译:GaN的极性反转横向过生长和选择性湿法蚀刻和再生长(PILOSWER)
机译:减少外延gan层中的位错密度,从而增加了与缺陷相关的刻蚀坑的过度生长
机译:通过横向外延过度生长在Ge涂层si衬底上生长的低位错密度Gaas外延层。