Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示

赵丽伟; 刘彩池; 滕晓云; 郝秋艳; 朱军山; 孙世龙; 王海云; 徐岳生; 冯玉春; 郭宝平

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采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发位错处产生电子空穴对,加速位错处的腐蚀速率.GaN表面出现了大量的六角腐蚀坑(位错露头).优化了KOH溶液的腐蚀条件.

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来源
《半导体学报》 |2006年第6期|1046-1050|共5页
作者
赵丽伟; 刘彩池; 滕晓云; 郝秋艳; 朱军山; 孙世龙; 王海云; 徐岳生; 冯玉春; 郭宝平;
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作者单位

河北工业大学材料学院信息功能材料研究所;

深圳大学光电子学研究所;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
GaN; 湿法化学腐蚀; 六角腐蚀坑;

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