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Si基外延GaN中位错的湿法化学腐蚀

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本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片.双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀,腐蚀液为KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液.通过原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观测样品的腐蚀形貌,研究了腐蚀时间、腐蚀液温度与浓度对腐蚀形貌的影响.化学腐蚀可显示GaN中位错的传播情况且腐蚀坑密度与样品晶体质量存在对应关系,并对其机理进行了讨论.

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来源
《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》|2005年|80-83|共4页
会议地点北京
作者
赵丽伟; 郭宝平; 刘彩池; 郝秋艳; 滕晓云; 朱军山; 孙世龙; 王海云; 徐岳生; 冯玉春;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类干法腐蚀工艺;
关键词
GaN; 湿法腐蚀; 原子力显微镜; 扫描电子显微镜; 化学气相沉积;

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