机译:具有源/漏肖特基接触的高体掺杂少1T-DRAM
机译:降低源极/漏极(LSD)和升高源极/漏极(RSD)超薄体(UTB)SOI MOSFET的比例
机译:超薄全耗尽SOI中源极/漏极升高与扩展扩展的比较,包括BEOL通过电容的影响
机译:优化的薄体,SOI完全耗尽的设备,具有提高的源/漏或提高的扩展性
机译:纳米透镜浮体DRAM细胞的物理分析与设计
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:升高的身体掺杂少1T-DRAM,带源/漏肖特基联系
机译:水下受热体初步设计中体温分布,层流分离和过渡的预测。