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机译:硅衬底厚度对薄膜热释电探测器响应的影响
Jong Soo Ko A; Weiguo Liu B; Weiguang Zhu B; Byung Man Kwak A;
机译:膜厚对c-硅衬底上真空沉积Alq_3薄膜的结构,电和光致发光性能的影响
机译:衬底上热释电薄膜的热电响应和D *
机译:LiTaO_3薄膜红外探测器硅基板的厚度效应及蚀刻手段
机译:新型薄膜热释电红外探测器的研制。
机译:富硅氧化硅薄膜中Er3 +发光的厚度依赖性优化
机译:钛酸锆钛酸铅薄膜在硅上的热电响应:热应力的影响
机译:冶金硅衬底上的硅薄膜 - 阶段II。专题报告第3号。薄膜多晶硅太阳能电池的稳定性
机译:热释电或薄膜辐射热测量仪热辐射传感器-在硅衬底上的传感器的辐射接收表面上具有可红外吸收特性的光刻结构层,厚度为几微米。
机译:热释电探测器形式的红外传感器-具有硅@基板,热释电传感器膜镀金属成图案
机译:微电子兼容的热释电探测器-在辐射接收区域中具有第一个触点,并且在热释电层和支撑硅衬底之间具有进一步的接触,后者在热释电层下方被蚀刻掉以形成自由支撑层。
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