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纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造

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提供了具有形成为半导体器件的BEOL或MOL层的一部分的气隙隔离物的半导体器件，以及制造这种气隙隔离物的方法。例如，一种方法包括在基板上形成第一金属结构和第二金属结构，其中第一和第二金属结构彼此相邻设置，在第一和第二金属结构之间设置绝缘材料。蚀刻绝缘材料以在第一和第二金属结构之间形成空间。使用夹断沉积工艺在第一和第二金属结构上沉积一层介电材料，以在第一和第二金属结构之间的空间中形成气隙，其中气隙的一部分在第一金属结构和第二金属结构中的至少一个的上表面上方延伸。

著录项

公开/公告号CN109478534A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-15

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN201780041377.3
发明设计人 S·V·恩古源;山下典洪;程慷果;T·J·小黑格;朴灿鲁;E·利宁格;李俊涛;S·梅赫塔;
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申请日2017-07-21
分类号
代理机构北京市中咨律师事务所;
代理人于静
地址美国纽约
入库时间 2024-02-19 08:29:09

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-10

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/768 登记生效日:20200219 变更前: 变更后: 申请日:20170721

专利申请权、专利权的转移
2019-04-09

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20170721

实质审查的生效
2019-03-15

公开

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