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一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法

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本发明公开了一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法，在失配衬底上覆盖多层石墨烯，放入气态源分子束外延系统生长室中升至高温，将砷烷经过高温裂解后通至生长室维持30分钟，然后降温至生长所需的温度，打开铟和镓束源炉快门，生长InGaAs材料。此生长方法利用了气态源分子束外延的特点，可以不受InGaAs材料与衬底晶格失配的影响，突破衬底的限制。本发明还可以推广到其他的III‑V族砷化物和磷化物失配材料的生长，具有很好的通用性。

著录项

公开/公告号CN110205673A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-06

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海技术物理研究所;
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申请/专利号CN201910411829.3
发明设计人顾溢;王红真;张永刚;邵秀梅;李雪;龚海梅;
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申请日2019-05-17
分类号C30B25/18(20060101);C30B25/02(20060101);C30B29/40(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构31311 上海沪慧律师事务所;
代理人郭英
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2024-02-19 13:17:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-08

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/18 申请日:20190517

实质审查的生效
2019-09-06

公开

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1. 一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法 [P] . 中国专利： CN110205673B . 2021.01.01
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