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一种石墨烯/InGaN多结异质太阳能电池及其制备方法

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本发明公开了一种石墨烯/InGaN多结异质太阳能电池，该太阳能电池自下而上依次包括：背面电极、Ge电池层、第一隧穿结、GaAs电池层、第二隧穿结、石墨烯/InxGa1‑xN层、量子点层、减反层和正面电极。本发明的多结异质太阳能电池通过调节InxGa1‑xN中x的值，InGaN的禁带宽度可在3.4eV(GaN)到0.7eV(InN)之间连续变化，可有效控制其吸收光谱范围。同时，石墨烯与InxGa1‑xN形成异质结不需要晶格匹配，可直接转移。除此之外，石墨烯与InxGa1‑xN形成的异质结拥有较高的开路电压，也使石墨烯/InxGa1‑xN太阳能电池具有更高的光电转换效率。本发明阐述的基于石墨烯/InxGa1‑xN的多结异质太阳能电池性价比高、工艺简单、易于商业化推广。

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公开/公告号CN110137269A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-16

原文格式PDF
申请/专利权人浙江大学;上海空间电源研究所;
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申请/专利号CN201910305474.X
发明设计人林时胜;姚天易;孙利杰;周大勇;陆阳华;
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申请日2019-04-16
分类号H01L31/0216(20140101);H01L31/078(20120101);H01L31/18(20060101);
代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;
代理人万尾甜;韩介梅
地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
入库时间 2024-02-19 14:03:10

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2019-08-16

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