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一种集成反向二极管和内嵌漏极场板的横向扩散eGaN HEMT器件

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本发明公开了一种集成反向二极管和内嵌漏极场板的横向扩散eGaN HEMT器件，包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅极电极、栅下绝缘层、源极电极、源极电极延伸段、源极场板、MIS肖特基二极管延伸段、MIS肖特基二极管绝缘层、p型GaN或凹槽、漏极电极、钝化层、AlN错层漏极内嵌场板，MIS肖特基二极管绝缘层制备于源极场板向MIS肖特基二极管延伸段以及AlGaN势垒层表面中间区域，二极管靠漏极侧采用p‑GaN或凹槽，提升器件击穿特性，漏极下方采用内嵌的错层场板，提升漏极向衬底抗击穿的能力，错层设计适应漏极电场自右向左的渐变型分布，提升器件的击穿特性，延长源极场板并包裹栅极，栅漏侧形成MIS肖特基二极管，二极管做成分块隔离的方式，极大地提升漏极电流。

著录项

公开/公告号CN110212028A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-06

原文格式PDF
申请/专利权人张士英;
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申请/专利号CN201910429419.1
发明设计人张士英;徐庆君;韦德泉;李振华;刘建波;张彬;
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申请日2019-05-22
分类号
代理机构
代理人
地址 277100 山东省枣庄市市中区光明东路14号院13号楼1单元201室
入库时间 2024-02-19 14:16:55

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-08

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20190522

实质审查的生效
2019-09-06

公开

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1. 一种集成反向二极管和内嵌漏极场板的横向扩散eGaN HEMT器件 [P] . 中国专利： CN110212028A . 2019-09-06
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