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一种适用于无掩模数字光刻的邻近效应校正方法

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本发明公开了一种适用于无掩模数字光刻的邻近效应校正方法，利用数字微镜对光场相位振幅的调制机理，分析不同灰度级次对光场振幅峰值及半峰高宽分布以及最终在光敏介质上线宽线距的影响，在基于经验的邻近效应校正基础上，建立适用于无掩模数字光刻技术的查找表，并在传统数字掩模的像素点上添加灰度信息，从而完成特殊的邻近效应后掩模的设计。本方法能有效弥补无掩模数字光刻技术上因单一像素点尺寸固定从而无法添加或修改掩模图形的缺陷，优化小尺度下的邻近效应如拐角变圆、线宽变动、线端缩短等现象。

著录项

公开/公告号CN110456609A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-15

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院光电技术研究所;
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申请/专利号CN201910733292.2
发明设计人刘江辉;刘俊伯;赵立新;唐燕;胡松;
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申请日2019-08-09
分类号
代理机构
代理人
地址 610209四川省成都市双流350信箱
入库时间 2024-02-19 15:16:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-10

实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/36 申请日:20190809

实质审查的生效
2019-11-15

公开

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