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自组装半导体阱上的场效应晶体管

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本发明涉及具有在第一半导体材料的基板(1)上的至少一个晶体管的装置，每个晶体管(20、20’)包括称为栅极的栅电极(5)、两个导体电极(3、4)、嵌入在基板(1)中且限定称为沟道区的能够形成沟道的区域的第二半导体材料的岛(2)、和将栅极(5)与两个电极(3、4)及沟道区分隔的绝缘层(6)，特征在于，沟道区在岛(2)内并且与两个导体电极(3、4)中的至少一个直接电接触。

著录项

公开/公告号CN103262224A

专利类型发明专利
公开/公告日2013-08-21

原文格式PDF
申请/专利权人法国原子能及替代能源委员会;
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申请/专利号CN201180059718.2
发明设计人乔治斯·卡察罗斯;西尔瓦诺·德弗兰切斯基;
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申请日2011-10-06
分类号H01L21/336;H01L21/84;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/45;H01L29/786;
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人余刚
地址法国巴黎
入库时间 2024-02-19 20:16:50

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-06-04

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20130821 申请日:20111006

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-08-21

公开

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