具有包括电容器内电阻器的内部稳定性网络的RF晶体管封装以及形成具有包括电容器内电阻器的内部稳定性网络的RF晶体管封装的方法

相关申请

本申请是于2007年6月22日提交的、名称为"RF TRANSISTOR PACKAGES WITH INTERNAL STABILITY NETWORK AND METHODS OF FORMING RF TRANSISTOR PACKAGES WITH INTERNAL STABILITY NETWORKS"、序列号为11/767,172的美国申请的部分继续申请，该美国申请的公开以其整体通过引用并入本文。

技术领域

本发明总体涉及RF晶体管，并且更特别地，本发明涉及具有输入匹配网络的封装RF晶体管以及形成具有输入匹配网络的封装RF晶体管的方法。

背景技术

典型地，封装RF功率器件包括被安装在基底上且被包围在封装中的晶体管管芯。通过从该封装外部延伸至该封装的内部的RF输入引线将RF输入信号供给至晶体管，并且通过从该封装内部延伸至外部的RF输出引线来从器件递送RF输出信号。输入匹配电路可以被包括在该封装内，并可以被连接在RF输入引线与RF晶体管的输入端子之间。输入匹配电路在晶体管的基本操作频率下在晶体管的输入处提供阻抗匹配。

RF晶体管可以包括较大外围晶体管管芯，该外围晶体管管芯包括处于公共衬底上且并联连接的多个分立晶体管单元。输入匹配可以对这种器件特别有益，这是由于其可以增加器件的可用带宽。然而，典型地，输入匹配网络包括单个电容器，其可以创建较大外围晶体管管芯的相邻单元之间的较低频反馈路径。该反馈路径可降低总体器件的稳定性。

此外，必须仔细地选择输入匹配网络的元件的阻抗值，以避免造成奇模振荡。包括通过接合线长度对适当电感的选择在内的对阻抗值的选择可限制匹配网络的拓扑。

发明内容

根据一些实施例的一种封装RF晶体管器件包括RF晶体管管芯，所述RF晶体管管芯包括多个RF晶体管单元。所述多个RF晶体管单元中的每一个包括控制端子和输出端子。所述RF晶体管器件进一步包括：RF输入引线；以及输入匹配网络，被耦合在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间。所述输入匹配网络包括具有相应输入端子的多个电容器。所述电容器的输入端子被耦合至所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子。所述输入匹配网络进一步包括分别被耦合在所述电容器的相邻输入端子之间的多个电阻器。

输入网络可以进一步包括：第一线接合，处于所述RF输入引线与所述电容器中相应的电容器的输入端子之间；以及第二线接合，处于所述电容器中相应的电容器的输入端子与所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子之间。

输入网络可以进一步包括：第三线接合，处于所述电容器的输入端子与所述电阻器的相应端子之间。

所述多个电阻器可以作为电阻器块而被提供在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间，并且所述电阻器块可以包括所述电阻器中相应的电阻器之间的多个节点。所述电阻器可以被串联电连接，并且所述第三线接合可以被耦合在所述节点中相应的节点与所述电容器的输入端子之间。

在一些实施例中，输入网络可以包括：第一线接合，处于所述RF输入引线与相应电阻器的端子之间；第二线接合，处于所述电阻器的端子与所述电容器中相应的电容器的输入端子之间；以及第三线接合，处于所述电容器中相应的电容器的输入端子与所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子之间。

所述封装RF晶体管器件可以进一步包括基底，并且所述RF晶体管管芯可以在所述基底上被安装在所述RF输入引线与所述RF输出引线之间。所述多个电阻器可以作为电阻器块而在所述基底上被提供在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间。

所述多个电容器可以作为电容器块而在所述基底上被提供在所述电阻器块与所述RF晶体管管芯之间。

所述电阻器块可以包括所述电阻器中相应的电阻器之间的多个节点。所述电阻器可以被串联电连接，并且所述第二线接合可以被耦合在所述节点中相应的节点与所述电容器的输入端子之间。

所述封装RF晶体管器件可以进一步包括：RF输出引线，被耦合至所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的输出端子；以及基底。所述RF晶体管管芯可以在所述基底上被安装在所述RF输入引线与所述RF输出引线之间。所述多个电容器可以作为电容器块而在所述基底上被提供在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间，并且所述多个电阻器可以作为电阻器块而在所述基底上被提供在所述RF输入引线与所述电容器块之间。该器件可以进一步包括容纳所述RF晶体管管芯和所述输入匹配网络的封装，其中，RF信号输入引线和RF信号输出引线从所述封装延伸。

所述电容器块可以包括公共接地端子和多个分立输入端子，并可以进一步包括公共电介质。在一些实施例中，所述多个电容器包括多个分立器件。

根据另外实施例的一种封装RF晶体管器件包括RF晶体管管芯，所述RF晶体管管芯包括多个RF晶体管单元。所述多个RF晶体管单元中的每一个包括控制端子和输出端子。所述封装RF晶体管器件进一步包括：RF输入引线；以及输入匹配网络，被耦合在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间。所述输入匹配网络包括具有多个输入端子的分裂电容器。所述分裂电容器的输入端子被耦合至所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子。所述输入匹配网络进一步包括分别被耦合在所述分裂电容器的相邻输入端子之间的多个电阻器。

输入网络可以进一步包括：第一线接合，处于所述RF输入引线与所述分裂电容器的相应输入端子之间；以及第二线接合，处于所述分裂电容器的相应输入端子与所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子之间。

所述封装RF晶体管器件可以进一步包括：RF输出引线，被耦合至所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的输出端子；以及封装，容纳所述RF晶体管管芯和所述输入匹配网络，其中，RF信号输入引线和RF信号输出引线从所述封装延伸。

所述封装RF晶体管器件可以进一步包括基底，并且所述RF晶体管管芯可以在所述基底上被安装在所述RF输入引线与所述RF输出引线之间。所述分裂电容器可以在所述基底上处于所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间。所述分裂电容器可以包括公共接地端子和/或公共电介质。

本发明的一些实施例提供了形成封装RF半导体器件的方法。所述方法包括：将包括多个RF晶体管单元的晶体管安装在基底上。所述多个RF晶体管单元中的每一个包括控制端子和输出端子。所述方法进一步包括：将具有相应输入端子的多个电容器安装在所述基底上；将所述电容器的输入端子耦合至所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子；将多个电阻器分别耦合在所述电容器的相邻输入端子之间；以及将RF输入引线耦合至所述电容器的输入端子。

所述方法可以进一步包括：在所述基底上形成封装外壳，该外壳包围所述晶体管和所述多个电容器，其中，所述RF输入引线从所述封装延伸。将所述RF输入引线耦合至所述电容器的输入端子可以包括在所述RF输入引线与所述电容器中相应的电容器的输入端子之间形成第一线接合，并且，将所述电容器的输入端子耦合至所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子可以包括在所述电容器中相应的电容器的输入端子与所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子之间形成第二线接合。

所述方法可以进一步包括：将RF输出引线耦合至所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的输出端子；以及形成容纳所述RF晶体管管芯和所述多个电容器的封装外壳，其中，RF信号输入引线和RF信号输出引线从该封装延伸。

所述方法可以进一步包括在所述基底上将所述RF晶体管管芯安装在所述RF输入引线与所述RF输出引线之间，并且，安装所述多个电容器可以包括在所述基底上将电容器块安装在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间。所述电容器块可以包括公共接地端子和多个分立输入端子。所述电容器块可以进一步包括公共电介质。在一些实施例中，所述多个电容器可以包括多个分立器件。

所述方法可以进一步包括：在所述电容器的输入端子与所述电阻器的相应端子之间形成第三线接合。

所述多个电阻器可以作为电阻器块而被提供在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间，并且所述电阻器块可以包括所述电阻器中相应的电阻器之间的多个节点。所述电阻器可以被串联电连接，并且所述第三线接合可以被耦合在所述节点中相应的节点与所述电容器的输入端子之间。

输入网络可以进一步包括：第一线接合，处于所述RF输入引线与相应电阻器的端子之间；第二线接合，处于所述电阻器的端子与所述电容器中相应的电容器的输入端子之间；以及第三线接合，处于所述电容器中相应的电容器的输入端子与所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子之间。

所述方法可以进一步包括提供基底，并且所述RF晶体管管芯可以在所述基底上被安装在所述RF输入引线与所述RF输出引线之间，并且所述多个电阻器可以作为电阻器块而在所述基底上被提供在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间。

所述多个电容器可以作为电容器块而在所述基底上被提供在所述电阻器块与所述RF晶体管管芯之间。

根据本发明的另外实施例，一种封装RF晶体管器件包括：RF晶体管管芯，包括多个RF晶体管单元，所述多个RF晶体管单元中的每一个包括控制端子和输出端子；RF输入引线和RF输出引线；以及匹配网络，被耦合在所述RF输入引线或所述RF输出引线与所述RF晶体管管芯之间。匹配网络包括具有相应输入端子的多个电容器。所述电容器的输入端子被耦合至所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的对应控制端子或输出端子。所述输入匹配网络进一步包括分别被耦合在所述电容器的相邻输入端子之间的多个电阻器。

在一些实施例中，匹配网络包括被耦合在所述RF输出引线与所述RF晶体管管芯之间的输出匹配网络，并且，所述电容器的输入端子被耦合至所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的对应输出端子。

附图说明

被包括以提供对本发明的进一步理解并且被结合到本申请中且构成本申请一部分的附图示意了本发明的（一个或多个）特定实施例。在附图中：

图1是传统RF功率晶体管的功能框图。

图2A是根据本发明的一些实施例的封装RF功率晶体管的透视图。

图2B是根据本发明的一些实施例的封装RF功率晶体管的功能框图。

图3是根据本发明的一些实施例的封装RF功率晶体管的示意电路图。

图4是根据本发明的一些实施例的封装RF功率晶体管的布局的平面图。

图5是根据本发明的一些实施例的分裂电容器的横截面图。

图6是根据本发明的另外实施例的封装RF功率晶体管的示意电路图。

图7A和7B是根据本发明的另外实施例的封装RF功率晶体管的布局的平面图。

图8是根据本发明的另外实施例的封装RF功率晶体管的示意电路图。

图9A和9B是根据本发明的另外实施例的封装RF功率晶体管的布局的平面图。

具体实施方式

现在，将在下文中参照附图来更全面地描述本发明的实施例，在这些附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明可以以许多不同形式体现，并且不应当被理解为受限于本文阐述的实施例。相反，这些实施例被提供以使得本公开将透彻且完整，并将完全将本发明的范围传达给本领域技术人员。遍及全文，相似的标记指代相似的元件。

将理解的是，尽管本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应当受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。如本文所使用的那样，术语“和/或”包括关联列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。

本文使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不意在限制本发明。如本文所使用的那样，单数形式“一”、“一个”和“该”也意在包括复数形式，除非上下文以其他方式清楚地指示。将进一步理解的那样，术语“包括”和/或“包含”在本文中被使用时指定所声明的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。

除非以其他方式定义，本文使用的所有术语（包括技术和科学术语）具有与本发明所属领域技术人员通常理解的相同的意义。将进一步理解的是，本文使用的术语应当被解释为具有与其在本说明书的上下文以及相关领域中的意义一致的意义，而不会在理想化或过于正式的意义上解释，除非本文明确如此定义。

将理解的是，当元件被称作“处于”或延伸“到”另一元件“上”时，其可以直接处于或直接延伸到该另一元件上，或者还可以存在居间的元件。相比之下，当元件被称作“直接处于”或“直接”延伸“到”另一元件“上”时，不存在居间的元件。还将理解的是，当元件被称作“连接”或“耦合”至另一元件时，其可以直接连接或耦合至该另一元件，或者可以存在居间的元件。相比之下，当元件被称作“直接连接”或“直接耦合”至另一元件时，不存在居间的元件。

本文中可以使用诸如“之下”或“之上”或者“上”或“下”或者“水平”或“侧向”或“垂直”之类的相对术语来描述一个元件、层或区域与另一元件、层或区域的关系，如图中所示的那样。将理解的是，这些术语意在涵盖除图中描绘的定向外器件的不同定向。

本发明的一些实施例提供了封装RF功率晶体管。典型地，RF功率晶体管包括并联操作的多个晶体管单元。根据本发明的实施例的可被包括在封装中的晶体管可以包括横向扩散的MOSFET（LDMOSFET）或其他半导体器件，诸如双极器件、MESFET器件、HBT和HEMT器件。可以使用窄或宽带隙半导体来制成晶体管。例如，晶体管可以包括硅LDMOS和/或双极晶体管，和/或III-V族器件，诸如GaAs MESFET、InGaP HBT、GaN HEMT器件、GaN双极晶体管等。

提供10瓦或更多功率的RF功率晶体管可以被封装为分立器件，如图1中的10处示意性地示出的那样。封装晶体管15（例如，其可以包括FET或双极器件）通常包括将RF输入引线14连接至晶体管15的控制电极（例如，FET的栅极G或双极晶体管的基极）的输入匹配电路12。晶体管15可以是包括并联连接的多个晶体管单元的较大外围RF晶体管。RF输出引线18被连接至晶体管15的输出电极（例如，FET的漏极D或者双极晶体管的集电极或发射极）。RF输入引线14和RF输出引线18延伸到封装10之外，如图1中所示的那样。FET 15的源极S可以接地。

封装晶体管10可以被安装在印刷电路板（未示出）上。外部输出匹配电路（未示出）也可以被安装在该印刷电路板上。偏置/RF同向双工器（未示出）可以被连接至外部输出匹配电路，以将晶体管输出连接至RF输出。此外，DC电源（未示出）可以被连接至晶体管的RF输出引线18。

已经在RF功率具体管封装内提供内部匹配网络，如图1中所示的那样。然而，典型地，这种内部匹配网络包括单个电容器。如上所说明的那样，将电容器包括在器件封装内可以创建较大外围晶体管管芯的相邻单元之间的更低频反馈路径，这可以降低整个器件的稳定性。

根据本发明的一些实施例，封装RF晶体管的内部匹配网络包括多个并联电容器。可以提供从该多个电容器至多单元RF晶体管管芯的相应单元的线接合连接。

例如，内部匹配网络可以包括与多单元RF晶体管管芯相邻的封装的基底上的分裂电容器和/或多个电容器。提供包括多个并联电容器的输入匹配网络可以减小和/或移除（一个或多个）低频反馈路径，这可以改进封装器件的稳定性。

在图2A中总体示出且在图2B中示意性地示出了根据本发明的一些实施例的封装RF晶体管100。如这里所示的那样，封装晶体管100包括延伸到封装之外的RF输入引线14和RF输出引线18。RF输入引线14通过输入匹配电路112而连接至晶体管115的控制端子（诸如栅极G），晶体管115可以包括并联连接的多个晶体管单元。晶体管115的输出端子（诸如漏极D）被连接至RF输出引线18。根据一些实施例，输入匹配电路包括多个电容器。输入匹配电路中的电容器中相应的电容器可以被耦合至RF晶体管115的相应晶体管单元。

在图3中示意了根据本发明的实施例的包括RF功率晶体管115和输入匹配网络112的封装100的示意电路图，并且在图4中示意了根据本发明的实施例的封装100的物理布局。RF功率晶体管115可以包括单个芯片（管芯）或多个芯片（管芯）。参照图3和4，封装100包括RF晶体管115，RF晶体管115包括多个并联晶体管单元15A-D。尽管图3示意了包括四个并联单元15A、15B、15C和15D的RF晶体管115，但是将意识到的是，根据本发明的实施例，RF晶体管115可以具有多于四个或少于四个并联单元。晶体管单元15A-D中的每一个包括控制或输入端子和输出端子。例如，在包括FET器件的实施例中，晶体管单元中的每一个包括栅极G、漏极D和源极S。在一些实施例中，栅极G与控制或输入端子相对应，并且漏极D与输出端子相对应，而源极S接地，如图3中所示。

输入匹配网络112被连接在RF信号输入引线14与晶体管单元15A-D的栅极G之间。输入匹配电路112可以包括：包括在RF信号输入引线14与电容器块136之间延伸的接合线的多个电感线接合连接；以及包括从电容器块136延伸至晶体管15A-D的栅极的接合线的电感线接合连接。

输入匹配网络112包括多个输入匹配电路12A至12D，输入匹配电路12A至12D中的每一个被连接在RF信号输入引线14与RF晶体管115的相应单元15A-D之间。输入匹配电路12A-D中的每一个包括第一电感32A-D、第二电感34A-D和电容器36A-D。如图4中所示，第一电感32A-D可以由RF输入引线14与对应电容器36A-D的端子之间的接合线连接提供。第二电感34A-D可以由对应电容器36A-D的端子与RF晶体管115的对应单元15A-D的输入端子之间的接合线连接提供。

多个电容器内电阻器35A至35C被连接在输入匹配电路12A-D的相邻电容器36A-D的输入端子之间。电容器内电阻器35A至35C可以是例如作为分立表面安装电阻器提供的。

电容器内电阻器35A至35C的存在可以提供具有增强稳定性的阻抗匹配。典型地，结合较大外围管芯的封装晶体管需要内部匹配以改进可用带宽。然而，将输入电容器作为内部输入匹配电容器添加至器件可以创建较大管芯的相邻单元之间的低频反馈路径，这可将稳定性负担置于器件上。可以仔细地选择较大外围功率晶体管的内部匹配电路，以避免造成奇模振荡。然而，适当电容器值和/或接合线长度（电感器）的选择可能对匹配网络拓扑施加不期望的约束。

通过给作为多个个体电容器输入的输入电容器提供被耦合在这些个体电容器之间的电容器内电阻器，可以在维持输入电容器的阻抗匹配优点的同时移除或衰减低频反馈路径。相应地，可以提高输入匹配电路12A至12D中的电容和电感值的设计自由度。

可以在可包括分立电容器器件和/或可包括分裂电容器的电容器块136中提供输入匹配网络的电容器36A-D，如图5中所示的那样。参照图5，电容器块136可以包括分裂电容器，该分裂电容器包括在基底140上的公共电介质44和公共接地端子42上提供的多个分立输入端子38A至38D，如图4和5中所示的那样。在图5中还部分地示意了将RF输入引线14连接至输入端子38A-D的线接合32A-D和将输入端子38A-D连接至相应晶体管单元15A-D的输入端子的线接合34A-D。多个电容器内电阻器35A至35C被连接在相邻电容器36A-D的输入端子38A至38D之间。电容器内电阻器35A至35C可以例如作为分立表面安装电阻器而被提供在相邻输入端子38A至38D之间电介质44上。

在图3和4中所示的实施例中，晶体管单元15A至15D的输出端子通过输出匹配网络116而连接至RF输出引线18。输出匹配网络的设计是本领域中公知的，且不需要在本文中详细描述。

如图4中所示，电容器块136可以被安装在封装100的与晶体管15相邻的基底140上。将意识到的是，封装100的基底可以指代晶体管15被安装在其上的任何结构构件，并相应地可以与衬底、凸缘、管芯载体等相对应。

在图6中示意了根据本发明的另外实施例的包括RF功率晶体管115和输入匹配网络212的封装200的示意电路图，并且在图7A和7B中示意了根据本发明的实施例的封装200的物理布局。图7B是更详细地示意了图7A的封装布局的一些特征的放大图。

参照图6、7A和7B，输入匹配网络212被连接在RF信号输入引线14与功率晶体管115的晶体管单元15A-D的栅极G之间，并包括多个输入匹配电路40A至40D，输入匹配电路40A至40D中的每一个被连接在RF信号输入引线14与RF晶体管115的相应单元15A-D之间。在图6、7A和7B中所示的实施例中，多个电容器内电阻器45A-C被连接在输入匹配电路40A-D的相邻电容器46A-D的输入端子之间。

电容器内电阻器45A-C可以被提供在分离电阻器块245上，分离电阻器块245可以被提供在RF信号输入引线14与分裂电容器块236之间封装200的基底上。电阻器块245可以包括陶瓷衬底247，诸如氧化铝衬底，在其上安装多个串联连接的电阻器45A至45C。电容器内电阻器45A至45C可以例如作为分立表面安装电阻器而被提供在陶瓷衬底247上。

电阻器块235可以包括N数目的节点47A至47D，并且，N-1数目的电阻器45A至45C可以被耦合在节点47A-D的相应对之间。

输入匹配电路212可以包括：包括在RF信号输入引线14与电阻器块245中的相应电阻器45A-D之间延伸的第一接合线42A-D的多个电感线接合连接；包括从电阻器块245中的相应电阻器45A-D延伸至电容器块236中的相应电容器46A-D的第二接合线44A-D的电感线接合连接；以及包括从电容器块236中的相应电容器46A-D延伸至晶体管15A-D的相应栅极的第三接合线48A-D的电感线接合连接。

以不同方式声明，输入匹配电路40A-D中的每一个包括第一电感42A-D、第二电感44A-D、电容器46A-D和第三电感48A-D。如图6中所示，第一电感42A-D可以由RF输入引线14与电阻器块245的相应节点47A-D之间的线接合连接提供。第二电感44A-D可以由电阻器块245的相应节点47A-D与对应电容器46A-D的端子之间的线接合连接提供。第三电感48A-D可以由对应电容器46A-D的端子与RF晶体管115的对应单元15A-D的输入端子之间的线接合连接提供。

在图8中示意了根据本发明的另外实施例的包括RF功率晶体管115和输入匹配网络312的封装300的示意电路图，并且在图9A和9B中示意了根据本发明的实施例的封装300的物理布局。图9B是更详细地示意了图9A的封装布局的一些特征的放大图。

参照图8、9A和9B，输入匹配网络312被连接在RF信号输入引线14与功率晶体管115的晶体管单元15A-D的栅极G之间，并包括多个输入匹配电路50A至50D，输入匹配电路50A至50D中的每一个被连接在RF信号输入引线14与RF晶体管115的相应单元15A-D之间。在图8、9A和9B中所示的实施例中，多个电容器内电阻器55A-C被连接在输入匹配电路50A-D的相邻电容器56A-D的输入端子之间。

电容器内电阻器55A-C可以被提供在分离电阻器块345上，分离电阻器块345可以被提供在RF信号输入引线14与分裂电容器块336之间封装300的基底上。电阻器块345可以包括陶瓷衬底347，诸如氧化铝衬底，在其上安装多个串联连接的电阻器55A至55C。电容器内电阻器55A至55C可以例如作为分立表面安装电阻器而被提供在陶瓷衬底347上。

电阻器块335可以包括N数目的节点57A至57D，并且，N-1数目的电阻器55A至55C可以被耦合在节点57A-D的相应对之间。

输入匹配电路312可以包括：包括在RF信号输入引线14与电容器块336中的相应电容器56A-D之间延伸的第一接合线52A-D的多个电感线接合连接；包括从电容器块336中的相应电容器56A-D延伸至电阻器55A-D中的相应电阻器的第二接合线54A-D的电感线接合连接；以及包括从电容器块336中的相应电容器56A-D延伸至晶体管15A-D的相应栅极的第三接合线58A-D的电感线接合连接。

以不同方式声明，输入匹配电路50A-D中的每一个包括第一电感52A-D、第二电感54A-D、电容器56A-D和第三电感58A-D。如图8中所示，第一电感52A-D可以由RF输入引线14与电容器块3336的相应电容器56A-D之间的线接合连接提供。第二电感54A-D可以由电阻器块345的相应节点57A-D与对应电容器56A-D的端子之间的线接合连接提供。第三电感58A-D可以由对应电容器56A-D的端子与RF晶体管115的对应单元15A-D的栅极端子之间的线接合连接提供。

尽管已主要结合输入匹配电路描述了本申请的实施例，但是可以在输出匹配电路（诸如，图3、4、6和8中所示的输出匹配电路116）中使用本发明的实施例。例如，根据一些实施例，可以在输出匹配电路116中提供如图5中所示的包括分裂电容器的电容器块136。在这种实施例中，电容器单元15A-D中的每一个的输出端子（例如，漏极D）可以被耦合至电容器块136的电容器的对应输入端子38A-D，例如经由电感接合线。输入端子38A-D同样可以被耦合至RF输出引线18，例如经由电感接合线。电感接合线的长度以及电容器块136中的电容器的电容可以被选择以在晶体管管芯115的输出处提供合适的阻抗匹配。

此外，尽管已主要结合包括单个晶体管管芯的封装RF晶体管描述了本申请的实施例，但是根据本发明的一些实施例，可以在单个封装100中包括多个晶体管管芯115，其中电容器块包括针对这些晶体管管芯中的一个或多个提供的多个电容器。

根据本发明的实施例的封装RF功率晶体管可以在其中稳定性重要的多种多样的应用中有用。例如，根据本发明的实施例的封装功率晶体管可以在诸如WiMAX、WCDMA、CDMA和/或包括未来（第4代）系统的其他系统的系统中具有应用。一般地，本发明的实施例可以在其中期望来自功率晶体管的稳定操作的任何应用中有用。

在附图和说明书中，已经公开了本发明的典型实施例，并且尽管采用具体术语，但是仅在一般性且描述性的意义上而不出于限制的目的使用这些具体术语，本发明的范围是在以下权利要求中阐述的。