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集成MEMS传感器的晶圆级封装结构及其晶圆级封装方法

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本发明涉及一种集成MEMS传感器的晶圆级封装结构及其晶圆级封装方法。集成MEMS传感器的晶圆级封装结构包括衬底和位于所述衬底上的介电质层，所述衬底中包括至少一个CMOS器件；所述衬底中包括一个或多个沟槽，所述沟槽的侧壁上具有绝缘层，所述沟槽中填充有金属，所述金属与所述衬底之间通过所述绝缘层相隔离；所述介电质层中具有与所述金属电连接的焊垫；所述介电质层中具有与所述CMOS器件和焊垫电连接的金属互连；所述介电质层的上面具有一个或多个MEMS传感器，所述MEMS传感器与所述金属互连电连接；所述MEMS传感器上面具有封装基板，所述封装基板具有与所述MEMS传感器上下相对应的通孔、盲孔或透明区域。本发明采用晶圆级封装能够降低封装成本，且封装体积小。

著录项

公开/公告号CN103708407A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-04-09

原文格式PDF
申请/专利权人上海丽恒光微电子科技有限公司;
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申请/专利号CN201210378123.X
发明设计人喻涵;毛剑宏;唐德明;
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申请日2012-09-29
分类号B81B7/00;B81C1/00;B81C3/00;
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室
入库时间 2024-02-19 22:14:31

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-03-29

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B81B7/00 申请公布日:20140409 申请日:20120929

发明专利申请公布后的驳回
2014-05-07

实质审查的生效 IPC(主分类):B81B7/00 申请日:20120929

实质审查的生效
2014-04-09

公开

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