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一种低介电常数介质刻蚀与铜互连的结构及集成方法

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本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及使用一种低介电常数介质刻蚀与铜互连的结构及集成方法。本发明的铜互连的结构包括至少一条金属导线，以及位于所述金属导线之下的绝缘体支撑结构；并且，在多条金属导线之间有多孔低介电常数介质；在绝缘体支撑结构之间也有多孔低介电常数介质。采用铜互连与气隙结合起来降低电容，用特定支撑结构来支撑铜导线以在去除介质后维持铜导线的形状。本发明可以实现全气隙结构而不使铜导线短路或断路并且可实现较长导线的全气隙结构，使RC延迟减小。

著录项

公开/公告号CN104269395A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-01-07

原文格式PDF
申请/专利权人复旦大学;
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申请/专利号CN201410433978.7
发明设计人王鹏飞;刘晓勇;张卫;
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申请日2014-08-29
分类号H01L23/528;H01L21/768;
代理机构上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2023-12-17 04:10:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-07-21

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L23/528 申请公布日:20150107 申请日:20140829

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-02-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/528 申请日:20140829

实质审查的生效
2015-01-07

公开

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