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基于六方氮化硼和氮化铝在金刚石衬底上生长氮化镓的方法

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本发明属于微电子技术领域，特别涉及一种氮化镓的生长方法，主要解决现有技术中外延生长氮化镓材料质量差的问题。其实现方案是：1)在硅片上通过微波等离子体化学气相淀积MPCVD生长金刚石衬底；2)通过金属有机物化学气相淀积MOCVD方法在金刚石衬底上生长六方氮化硼过渡层；3)采用光刻与刻蚀工艺对六方氮化硼过渡层进行图形化；4)采用电化学沉积方法在图形化的六方氮化硼过渡层上沉积氮化铝；5)采用金属有机物化学气相淀积MOCVD方法在覆盖了图形化的六方氮化硼和氮化铝的金刚石衬底上依次外延生长低温氮化镓层和高温氮化镓层。本发明提高了氮化镓材料的质量，可用于制作氮化镓薄膜及其器件。

著录项

公开/公告号CN110690105A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-14

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
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申请/专利号CN201911003262.2
发明设计人宁静;刘起显;王东;张进成;贾彦青;闫朝超;郝跃;
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申请日2019-10-22
分类号
代理机构陕西电子工业专利中心;
代理人王品华
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-12-17 06:34:29

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-02-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20191022

实质审查的生效
2020-01-14

公开

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