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一种质量离散化的MEMS器件抗冲击结构及设计方法

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本发明公开了一种质量离散化的MEMS器件抗冲击结构和设计方法，将MEMS器件敏感结构中的质量块离散为多个子质量块，各子质量块分别由独立的弹性梁支撑在衬底上；各子质量块分别对应设置检测其运动信号的子检测电极；位于各子质量块同一偏转方向侧的各子检测电极串联连接。本发明通过将质量块离散成各子质量块，使各子质量块的质量、面积进行了减小，对应的冲击加速度在子质量块上产生的惯性力也相应的减小。通过合理设计，单个子质量块的抗冲击能力较原有整体质量块大幅提升。该方法不仅可以提高MEMS器件的抗冲击能力，也可用于抑制MEMS器件敏感结构受加速度影响而产生的g灵敏度。

著录项

公开/公告号CN111410168A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-14

原文格式PDF
申请/专利权人中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心;
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申请/专利号CN202010337208.8
发明设计人凤瑞;周铭;商兴莲;
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申请日2020-04-26
分类号
代理机构南京纵横知识产权代理有限公司;
代理人耿英
地址 215163 江苏省苏州市高新区龙山路89号
入库时间 2023-12-17 10:03:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-07

实质审查的生效 IPC(主分类):B81B7/00 申请日:20200426

实质审查的生效
2020-07-14

公开

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