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温度调控一维光子晶体产生动态光子晶体的方法

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温度调控一维光子晶体产生动态光子晶体的方法，以加热炉连接在多层膜结构一维光子晶体上，当加热炉温度改变时，一维光子晶体的温度也发生改变，温度的改变导致膜层材料折射率发生改变，一维光子晶体的光子禁带位置随之发生偏移，形成动态光子晶体。本发明采用温度调制多层膜结构的一维光子晶体产生动态光子晶体，并不涉及二、三维光子晶体结构的制作和液晶材料的填充实验，通过温度调制膜层材料的折射率变化从而使光子带隙发生偏移，并有多种膜层材料可应用于本发明，大大降低了实验难度且灵活易行。

著录项

公开/公告号CN1996100A

专利类型发明专利
公开/公告日2007-07-11

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院光电技术研究所;
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申请/专利号CN200610169886.8
发明设计人张晓玉;高洪涛;王长涛;邢廷文;姚汉民;
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申请日2006-12-30
分类号G02F1/01;G02B6/122;C30B5/00;G02B1/00;
代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司;
代理人贾玉忠
地址 610209 四川省成都市双流350信箱
入库时间 2023-12-17 18:46:19

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-03-24

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2008-11-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-07-11

公开

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