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一种低介电常数介质与铜互连的结构及其集成方法

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摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种低介电常数介质与铜互连的结构及其集成方法。包括：采用铜互连与气隙结合起来降低电容；用特定支撑结构来支撑铜导线以在去除介质后维持铜导线的形状。本发明的优点在于可以实现全气隙结构而不使铜导线短路或断路并且可实现较长导线的全气隙结构，使RC延迟减小。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-03-27

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L23/522 申请公布日:20110302 申请日:20101015

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-06-22

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/522 申请日:20101015

实质审查的生效
2011-03-02

公开

公开

1. 一种低介电常数介质刻蚀与铜互连的结构及集成方法 [P] . 中国专利： CN104269395A . 2015-01-07
2. 一种低介电常数介质与铜互连的结构和集成方法 [P] . 中国专利： CN101673727A . 2010-03-17
3. LOW-DIELECTRIC CONSTANT DIELECTRIC AND COPPER INTERCONNECT STRUCTURE AND INTEGRATION METHOD THEREOF [P] . 世界知识产权组织专利： WO2012048509A1 . 2012-04-19

机译：低介电常数铜铜互连结构及其集成方法
4. A METHOD FOR MANUFACTURING A LOW DIELECTRIC CONSTANT INTER- LEVEL INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE. [P] . MY126325A . 2006-09-29

机译：一种制造低介电常数层间集成电路结构的方法。
5. A METHOD FOR MANUFACTURING A LOW DIELECTRIC CONSTANT INTER-LEVEL INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE [P] . SG85688A1 . 2002-01-15

机译：一种低介电常数层间集成电路结构的制造方法