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马铃薯半高垄覆膜自破膜出苗栽培方法

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本发明公开了一种马铃薯半高垄覆膜自破膜出苗栽培方法，播种方式为半高垄作膜下滴灌采用大小垄双行种植模式，在垄台上播种，小行距为30～35cm，大行距为55～60cm，株距为32～38cm，播种密度为52500～60000株/hm2，滴灌管铺设在小行距中间，播种时间在5月上旬，当土壤10cm深处地温达到8～10℃时即可播种，播种深度为6～12cm。起垄整形的垄高为10cm的半高垄，垄台宽度为50～65cm，垄距100～130cm。膜上覆土厚度为5～7cm，覆土时间为播后当天或集中在5～7d内完成。由于本发明采用播种后在地膜上全覆土的方法，有效改善了土壤的肥水条件，起到避免春季风大吹破地膜，达到抑制畦面长草的效果。本栽培方法有提高地温，缩短出苗及收获时间，且马铃薯自行破膜出土的优点。

著录项

公开/公告号CN104938168A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-09-30

原文格式PDF
申请/专利权人内蒙古自治区农牧业科学院;
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申请/专利号CN201510043098.3
发明设计人路战远;张向前;程玉臣;叶雪松;张德健;张海林;韩润宝;杨彬;刘孝忱;张建中;咸丰;白海;王玉芬;智颖飙;郭晓霞;张荷亮;孙鸿举;张富荣;李艳艳;李娟;
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申请日2015-01-23
分类号A01G1/00(20060101);
代理机构15100 呼和浩特北方科力专利代理有限公司;
代理人王社
地址 010031 内蒙古自治区呼和浩特玉泉区昭君路22号
入库时间 2023-12-18 11:09:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-06-26

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):A01G1/00 申请公布日:20150930 申请日:20150123

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-11-04

实质审查的生效 IPC(主分类):A01G1/00 申请日:20150123

实质审查的生效
2015-09-30

公开

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