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无掺杂元素的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置

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本发明公开了一种无掺杂元素的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置，解决了低杂质的高纯碳化硅晶体生产的难题。包括高纯石墨坩埚（2），在高纯石墨坩埚（2）的外侧面上设置有石墨毡保温层（7），在石墨毡保温层（7）上分别设置有下测温孔（8）和上测温孔（9），在高纯石墨坩埚（2）的内腔顶部设置有石墨托（1），在石墨托（1）上设置有籽晶（4），在籽晶（4）上设置有生长后的碳化硅晶体（5），在高纯石墨坩埚（2）的腔内下部设置有SiC高纯粉料（3），在石墨托（1）与高纯石墨坩埚（2）的内腔内侧壁之间设置有小孔（6）。本发明目的通过降低背景中的杂质元素浓度来获得高纯碳化硅晶体。

著录项

公开/公告号CN105420813A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-23

原文格式PDF
申请/专利权人中国电子科技集团公司第二研究所;
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申请/专利号CN201510972097.7
发明设计人王利忠;李斌;王英民;魏汝省;毛开礼;徐伟;戴鑫;马康夫;周立平;付芬;田牧;侯晓蕊;
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申请日2015-12-22
分类号C30B29/36(20060101);C30B23/00(20060101);
代理机构14106 山西科贝律师事务所;
代理人陈奇
地址 030024 山西省太原市和平南路115号
入库时间 2023-12-18 15:07:46

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-08-10

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B29/36 申请公布日:20160323 申请日:20151222

发明专利申请公布后的视为撤回
2016-04-20

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/36 申请日:20151222

实质审查的生效
2016-03-23

公开

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