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匹配AZO薄膜电流扩展层的LED外延结构及其生长方法

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本发明提供一种匹配AZO薄膜电流扩展层的LED外延结构的生长方法，依次包括处理蓝宝石衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长U型GaN层、生长N型GaN层、生长多周期量子阱发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长AlGaN:Mg接触层以及退火处理。本发明采用在LED外延最后的接触层设计为AlGaN:Mg结构，可匹配ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜，降低了接触电阻，降低了LED芯片的工作电压。本发明还公开一种匹配AZO薄膜电流扩展层的LED外延结构，整体结构精简，可匹配ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜，降低了接触电阻，降低了LED芯片的工作电压。

著录项

公开/公告号CN105957933A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-09-21

原文格式PDF
申请/专利权人湘能华磊光电股份有限公司;
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申请/专利号CN201610580625.9
发明设计人林传强;
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申请日2016-07-21
分类号
代理机构长沙七源专利代理事务所(普通合伙);
代理人郑隽
地址 423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
入库时间 2023-06-19 00:31:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-05-31

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L33/00 申请公布日:20160921 申请日:20160721

发明专利申请公布后的驳回
2016-10-19

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20160721

实质审查的生效
2016-09-21

公开

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