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一种失效分析中分析晶格缺陷的TEM样品制备新方法

摘要

本发明公开了一种失效分析中分析晶格缺陷的TEM样品制备新方法。该方法使用手动研磨代替聚焦离子束来制备TEM样品,使样品中的晶格缺陷在极小或极浅的情况下均能被发现,而且不受晶格缺陷的方向的影响。极大地促进了晶格缺陷的发现与观测,准确率高,对TEM样品的制备的研究具有重要意义。

著录项

  • 公开/公告号CN106018018A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州博飞克分析技术服务有限公司;

    申请/专利号CN201610316827.2

  • 申请日2016-05-13

  • 分类号G01N1/28(20060101);

  • 代理机构11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司;

  • 代理人连平

  • 地址 215000 江苏省苏州市工业园区东长路88号F1幢1F101室

  • 入库时间 2023-06-19 00:38:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-06

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01N1/28 申请公布日:20161012 申请日:20160513

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-11-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N1/28 申请日:20160513

    实质审查的生效

  • 2016-10-12

    公开

    公开

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