法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-07
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N27/06 申请公布日:20180119 申请日:20160711
发明专利申请公布后的视为撤回
2018-01-19
公开
公开
机译: 一种具有高压维持区域的高压功率MOSFET的制造方法,该区域包括由快速扩散形成的掺杂列
机译: 一种具有高压维持区域的高压功率MOSFET的制造方法,该区域包括由快速扩散形成的掺杂列
机译: 一种具有高压维持区域的高压功率MOSFET的制造方法,该区域包括由快速扩散形成的掺杂列