首页> 中国专利> 基于SOI结构金刚石复合衬底的GaN高电子迁移率器件及制备方法

基于SOI结构金刚石复合衬底的GaN高电子迁移率器件及制备方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种基于SOI结构金刚石复合衬底的GaN高电子迁移率器件及制作方法，主要解决传统GaN高电子迁移率在高温大功率工作条件下性能退化的问题。其自下而上包括衬底、AlGaN/GaN异质结构和金属电极。其中衬底采用基于SOI结构异质外延生长得到的金刚石/硅/氮化镓复合衬底，金刚石层采用MPCVD工艺生长的多晶金刚石薄膜，其生长温度为900‑1100℃，厚度为50‑200μm；硅层为SOI结构上Si层；氮化镓层采用MOCVD工艺生长，其生长温度为1100±10℃，厚度为1.2‑2.5μm。本发明由于采用Si层很薄的复合衬底，提高了GaN高电子迁移率器件的散热特性，可应用于高温大功率工作条件。

著录项

公开/公告号CN107731903A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-02-23

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
展开▼

申请/专利号CN201710828635.4
发明设计人张进成;徐雷;郝跃;任泽阳;张金风;宁静;林志宇;
展开▼

申请日2017-09-14
分类号
代理机构陕西电子工业专利中心;
代理人王品华
地址 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
入库时间 2023-06-19 04:40:01

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-03-20

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/12 申请日:20170914

实质审查的生效
2018-02-23

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 基于SOI结构金刚石复合衬底的GaN高电子迁移率器件及制备方法 [P] . 中国专利： CN107731903A . 2018-02-23
2. 基于高K材料的叠栅AlGaN/GaN高电子迁移率MOS器件 [P] . 中国专利： CN109285890A . 2019-01-29
3. High electron mobility electronic device structures comprising native substrates and methods for making the same [P] . 美国专利： US2007018198A1 . 2007-01-25

机译：包括天然衬底的高电子迁移率电子器件结构及其制造方法
4. METHOD FABRICATING NITRIDE-BASED COMPOUND LAYER, GaN SUBSTRATE AND VERTICAL STRUCTURE NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE [P] . 美国专利： US2009258453A1 . 2009-10-15

机译：制备基于氮化物的复合层，GaN衬底和垂直结构基于氮化物的半导体发光器件的方法
5. Composite structure of the crystalline oxide dielectric thin film and the single crystal silicon substrate and electronic devices and methods for their preparation using the same [P] . 日本专利： JP3684709B2 . 2005-08-17

机译：晶体氧化物介电薄膜和单晶硅衬底的复合结构以及电子器件及其制备方法