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一种半导体离子敏场效应晶体管ISFET的制备方法

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本发明公开了一种离子敏场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：第一步：设计离子敏场效应晶体管的结构；第二步：生长栅二氧化硅膜；第三步：制备ISFET敏感膜，敏感膜为Si3N4膜，采用化学气相沉积法CVD进行制备；第四步：对敏感膜进行刻蚀；第五步：制备金属电极及引线连接；第六步：对ISFET进行封装；并通过高温蒸气对其进行消毒。本发明所制备的ISFET的响应快，灵敏度高，稳定性好，体积小，成本低，重量轻，适于批量生产及制造，在产业上广泛应用。

著录项

公开/公告号CN108767012A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-06

原文格式PDF
申请/专利权人广州市康超信息科技有限公司;
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申请/专利号CN201810569127.3
发明设计人孟青;李良浩;
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申请日2018-06-05
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人陈燕娴
地址 511340 广东省广州市增城区新塘镇荔新十二路96号14幢117号
入库时间 2023-06-19 07:04:59

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-11-30

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20180605

实质审查的生效
2018-11-06

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