法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/30 申请日:20180827
实质审查的生效
2018-12-28
公开
公开
机译: 半导体元件二极管,具有由氧/空位络合物形成的掺杂剂区域,该掺杂剂区域从半导体本体的上侧到本体的下侧具有指定的距离,并且包含指定范围内的氧浓度
机译: 氮掺杂的空位占优势的硅锭和由其形成的热处理晶片,其密度和尺寸呈放射状均匀分布的氧沉淀物
机译: 具有径向均匀分布的氧沉淀密度和尺寸的氮掺杂和空位主导的硅锭以及由此形成的热处理晶片