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公开/公告号CN109100405B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-19
原文格式PDF
申请/专利权人 合肥工业大学;
申请/专利号CN201810981304.9
发明设计人 崔接武;张慧;张勇;余东波;王岩;舒霞;秦永强;吴玉程;
申请日2018-08-27
分类号G01N27/30(20060101);G01N27/333(20060101);
代理机构11212 北京轻创知识产权代理有限公司;
代理人沈尚林
地址 230000 安徽省合肥市屯溪路193号
入库时间 2022-08-23 11:36:00
机译: 半导体元件二极管,具有由氧/空位络合物形成的掺杂剂区域,该掺杂剂区域从半导体本体的上侧到本体的下侧具有指定的距离,并且包含指定范围内的氧浓度
机译: 氮掺杂的空位占优势的硅锭和由其形成的热处理晶片,其密度和尺寸呈放射状均匀分布的氧沉淀物
机译: 具有径向均匀分布的氧沉淀密度和尺寸的氮掺杂和空位主导的硅锭以及由此形成的热处理晶片
机译:ZIF-67-衍生的COO(四面体CO2 +)(四面体CO2 +)/氮掺杂多孔碳受到氧空位的富含SnO2保护的氧还原催化剂,用于氧氧氧化的氧还原和Pt助催化剂
机译:通过超薄氧空位组装的均匀Zn2 + - 掺杂的生物微球,具有可调谐氧空位,用于超稳定去除NO
机译:原位模板与硫脲合作,制备氧/氮的共掺杂多孔碳,用于超级电容器的可调节孔结构
机译:基于第一原理模拟研究未掺杂,铝掺杂和氮掺杂的TaO_x基RRAM中氧空位的形成能
机译:改善纳米结构二氧化钛的光电性能和光活性:粒径,氧空位和氮掺杂的影响。
机译:用于高级锂离子电池的氮掺杂多孔Co3O4 /石墨烯纳米复合材料
机译:用于增强电化学氮固定的MOF衍生的Zn掺杂CO3O4纳米多孔氧空位工程
机译:镨掺杂氧化铈中氧空位扩散的动力晶格monte Carlo模型:材料设计的应用