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控制表面形态的化学气相沉积层制备方法、装置及设备

摘要

本发明提供一种控制表面形态的化学气相沉积层制备方法、装置及设备,属于半导体技术领域。控制表面形态的化学气相沉积层制备方法,包括:获取并响应于反应开始指令,根据预设起始温度调节化学气相沉积炉的加热器温度至初始温度;根据初始温度以及反应的吸放热状态,调节化学气相沉积炉的加热器温度。本发明的目的在于提供一种控制表面形态的化学气相沉积层制备方法、装置及化学沉积反应设备,能够根据化学沉积反应的吸放热状态对加热器温度进行调节,从而提高炉内化学沉积形成的薄膜的厚度均匀性。

著录项

  • 公开/公告号CN111763929A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 泉芯集成电路制造(济南)有限公司;

    申请/专利号CN202010882379.9

  • 发明设计人 蔡坤峯;

    申请日2020-08-27

  • 分类号C23C16/52(20060101);

  • 代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张洋

  • 地址 250000 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室

  • 入库时间 2023-06-19 08:33:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-05-05

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C16/52 专利申请号:2020108823799 申请公布日:20201013

    发明专利申请公布后的驳回

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