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磁性原子掺杂的超晶格材料GeTe/Sb2Te3n晶体结构模型的构建方法

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本发明公开了一种磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n晶体结构模型的构建方法，包括如下步骤：第一步，建立超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n表面结构；第二步，选择表面结构进行磁性原子掺杂，建立磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n表面模型；第三步，对磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n模型进行结构优化及静态自洽计算；第四步，计算得到磁性原子掺杂后的表面能带图及未掺杂时的纯净超晶格材料表面能带图；第五步，对比分析得到磁性原子掺杂后超晶格材料GeTe/Sb2Te3表面能带结构的变化，确定磁性原子掺杂对材料拓扑绝缘性能的影响。通过对不同的掺杂元素引入初始超晶格材料的方案进行构建，能带结构图能够明显看出掺杂后的超晶格材料的表面能带结构的狄拉克点打开，同时引发能带产生自旋劈现象。

著录项

公开/公告号CN111952362A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-17

原文格式PDF
申请/专利权人华中科技大学;
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申请/专利号CN202010836395.4
发明设计人程晓敏;夏泽瑛;张瑾;冯金龙;童浩;缪向水;
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申请日2017-11-17
分类号H01L29/66(20060101);
代理机构33231 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张宇娟
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2023-06-19 08:55:10

法律信息

法律状态公告日

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法律状态
2022-03-11

授权

发明专利权授予

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