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背栅全控型AlGaN/GaN异质结增强型功率HEMT器件及制备方法

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本发明涉及一种背栅全控型AlGaN/GaN异质结增强型功率HEMT器件及制备方法，其中HEMT器件包括：自下而上依次层叠设置的衬底、P‑GaN层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；源电极，设置在AlGaN势垒层上的一侧；漏电极，设置在AlGaN势垒层上的另一侧，且与源电极相对设置；源电极与漏电极之间的部分厚度的衬底、P‑GaN层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，形成鳍形结构；栅电极，位于源电极与漏电极之间，覆盖鳍形结构垂直于衬底的两个侧面以及鳍形结构的顶面，栅电极与P‑GaN层之间形成欧姆接触；栅介质层，设置在栅电极与鳍形结构之间。本发明的背栅全控型AlGaN/GaN异质结增强型功率HEMT器件，采用P‑GaN层与栅金属形成背栅的方式，调节AlGaN/GaN异质结栅极电场，有利于提高器件的击穿电压。

著录项

公开/公告号CN112768508A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-07

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
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申请/专利号CN202110084430.6
发明设计人何云龙;马晓华;杨凌;王冲;郑雪峰;郝跃;
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申请日2021-01-21
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/20(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘长春
地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
入库时间 2023-06-19 10:54:12

法律信息

法律状态公告日

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法律状态
2023-03-28

授权

发明专利权授予

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